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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢。特別是高臨界電場使得GaN-HEMTs成為功率半導體器件的研究熱點。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動態(tài)導通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  Vanguard Electronics HCL1系列大電流功率電感器 2024-02-28 14:26:40

  Vanguard Electronics HCL1系列大電流功率電感器是一種用于測量和管理電流的元件。這些電感器通常用于工業(yè)應用中，可以幫助監(jiān)測電流負載，實現(xiàn)過載保護和能效管理等功能。