VY1102M35Y5UQ6TV0單層陶瓷盤式電容器VISHAY
發(fā)布時間:2024-08-06 09:44:19 瀏覽:504
Vishay VY1102M35Y5UQ6TV0 是一款單層陶瓷盤式電容器,具有以下特點和規(guī)格:
1. 散熱性能:該電容器設(shè)計用于避免散熱問題,確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
2. 電壓承受能力:能夠承受高達760VAC或500VAC的交流電壓,適用于多種電壓條件。
3. 工作溫度范圍:最高工作溫度可達125°C,最低操作溫度為-40°C,適用于廣泛的溫度環(huán)境。
4. 電容值和精度:電容值為0.001uF,精度為20%,適合需要一定容差范圍的應(yīng)用。
5. 物理尺寸:直徑為9mm,高度為5mm,引線直徑為0.6mm,間距為10mm,采用徑向端接方式。
6. 電氣特性:
- 最小絕緣電阻為10GΩ。
- 介電常數(shù)為Y5U。
- 不適用于微波應(yīng)用。
- 抑制等級為X1/Y1。
- 介電損耗因子為2.5%。
7. 包裝方式:采用帶和卷包裝,便于自動化生產(chǎn)和安裝。
8. 環(huán)境適應(yīng)性:該電容器設(shè)計用于各種環(huán)境條件,包括極端溫度和濕度。
參數(shù)型號:
CAPACITANCE C(pF) | CAPACITANCE TOLERANCE (%) | BQDY DIAMETER Dmax. (mm) | BODY THICKNESS Tmax. (mm) | LEAD SPACING F (mm)±1 mm | PART NUMBER |
MISSING DIGITS SEE ORDERING CODE BELOW | |||||
U2J | |||||
10 | ±10 | 8.0 | 5.0 | 10.0 or 12.5 | VY1100K31U2JQ6##并 |
15 | VY1150K31U2J06##并 | ||||
22 | VY1220K31U2J06##并 | ||||
Y58 | |||||
33 | ±10 | 8.0 | 5.0 | 10.0 or 12.5 | WY1330K31Y58Q6### |
47 | WY1470K31Y5SQ6### | ||||
68 | WY1680K31Y5SQ6## | ||||
100 | WY1101K31Y58Q6## | ||||
150 | WY1151K31Y5SQ6### | ||||
220 | WY1221K31Y5SQ6### | ||||
330 | WY1331K31Y58Q6## | ||||
Y5U | |||||
470 | ±201 | 8.0 | 5.0 | 10.0 or 12.5 | WY1471#31Y5U06### |
680 | WY1681#31Y5UO8### | ||||
1000 | 9.0 | WY1102#35Y5UO6### | |||
1500 | 10.5 | WY1152#41Y5U06### | |||
2200 | 12.0 | VY1222#47Y5UQ6### | |||
3300 | 15.0 | WY1332#59Y5UO6### | |||
3900 | 15.5 | WY1392#61Y5U06### | |||
4700 | 16.0 | VY1472#63Y5UQ6### | |||
Y5V MINI SIZE SERIES | |||||
1000 | ±20 | 7.5 | 5.5 | 10.0 or 12.5 | WY1102M29Y5VQ6### |
1500 | 8.5 | WY1152M33Y5VQ6### | |||
2200 | 9.5 | WY1222M37Y5VQ6### | |||
3300 | 11.0 | WY1332M43Y5VQ6### | |||
3900 | 12.0 | WY1392M47Y5VQ6### | |||
4700 | 13.0 | VY1472M51Y5VQ6### |
Vishay VY1102M35Y5UQ6TV0 是一款適用于需要高電壓承受能力和寬溫度范圍應(yīng)用的高頻電容器,廣泛用于電子設(shè)備和電路中。
相關(guān)推薦:
Vishay威世VS-FC270SA20功率MOSFET模塊
更多vishay相關(guān)產(chǎn)品信息可咨詢立維創(chuàng)展。
推薦資訊
Q-Tech? QPL晶體振蕩器是體現(xiàn)晶體或振蕩器能否符合非常性能卓越規(guī)定要求的檢測標準之一。將其運用于國防裝備和軍事產(chǎn)品的零部件,以符合這一標準是必不可少的。
IRF5NJZ48是International Rectifier推出的第五代HEXFET功率MOSFET,適用于開關(guān)電源、電機控制、逆變器等領(lǐng)域。具有低RDS(上)、高雪崩能量、優(yōu)秀動態(tài)dv/dt值等特點。采用55V單N溝道Hi-Rel MOSFET,在SMD-0.5封裝中密封,適用于嚴苛環(huán)境。
在線留言
久久久久亚洲精品国产粉嫩| 国产无遮挡又黄又爽在线观看| 欧美 日韩 精品 中文| 国产日本欧美在线一区二区| 亚洲永久无码7777kkk| 99精品国产在热久久无码| 999国产精品免费观看| 日韩av在线播放中文字幕| 午夜视频在线观看免费大全| 日本高清一区二区三区视频| 日本久久精品久久三级片| 2021最新国产精品网站| 国产亚洲欧美日韩精品怀孕| 家庭你伦乱在线视频观看| 凹凸成人精品亚洲精品密奴| 都市激情 亚洲色图 偷拍| 中文字幕精品三区无码亚洲 | 曰本无码人妻丰满熟妇啪| 久久这里只有精品| 精品久久久无码中文字幕边打电话| 有精品影院在线| 无码高潮动态图| 91av国产一区在线观看| 国产成人av在线你懂的| 久久久久国产精品嫩草影院欧洲| 国产成人无码专区| 久久精品一区二区三区h| 亚洲成a人片在线观看中| 日韩精品一二三区免费视频| 91青青操视频在线观看| 国产精品久久久久精品二级| 加勒比在线不卡免费播放| 亚洲狠狠狠一区二区三区| 免费播放一区二区三区才| 亚洲国产成人精品久久久国| 91av精品在线免费观看| 欧美 日韩 综合 在线| 精品av天堂毛片久久久| 在线播放国产精品欧美精品| 久久综合综合久久97色| 国产麻豆雪千夏在线观看|