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SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET

發(fā)布時間：2024-07-03 09:18:47 瀏覽：947

SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET

　　Solitron Devices SD11721 1200V SiC N溝道功率MOSFET的主要特點和技術(shù)規(guī)格如下：

　　高阻斷電壓與低通態(tài)電阻：該MOSFET具有高達1200V的阻斷電壓(Vs = 1200V)，并且具有低通態(tài)電阻(Ros(on) = 50 mΩ)，這意味著在開關(guān)狀態(tài)切換時能夠減小功耗，提高效率。

　　高速開關(guān)與低電容：SD11721適合高速開關(guān)應(yīng)用，并且具有低電容特性，這有助于減少開關(guān)過程中的能量損失。

　　高操作結(jié)溫能力：該MOSFET能夠在高溫環(huán)境下工作，其操作結(jié)溫范圍達到-55℃至+175℃。

　　快速而健壯的內(nèi)置體二極管：這是該MOSFET的一個重要特點，能夠快速且有效地處理反向電流。

　　優(yōu)化的塑料封裝：采用TO-247-4塑料封裝，具有優(yōu)化的封裝設(shè)計和分離的驅(qū)動源引腳(4-G)，以及8mm的漏極和源極之間的爬電距離(creepage distance)，確保了在高溫和高濕等惡劣環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。

　　應(yīng)用廣泛：SD11721適用于多種應(yīng)用，包括太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動器、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器以及開關(guān)模式電源等。

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