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SD211DE/SST211/SST213/SST215高速N溝道橫向DMOS FET開(kāi)關(guān)Linear Systems

發(fā)布時(shí)間：2024-04-28 09:39:53 瀏覽：610

　　Linear Systems的SD211DE/SST211/SST213/SST215系列是由增強(qiáng)型MOSFET組成的高速N溝道橫向DMOS (Double-Diffused Metal-Oxide-Semiconductor) FET開(kāi)關(guān)。

　　這些器件的特點(diǎn)包括超快的開(kāi)關(guān)速度(1ns)、極低的反電容(0.2pF)、適用于5V模擬制造可靠性、低導(dǎo)通閾值電壓以及n溝道增強(qiáng)模式。

SD211DE/SST211/SST213/SST215

　　其主要優(yōu)點(diǎn)包括高速系統(tǒng)性能、在高頻下低插入損耗、低傳輸信號(hào)損耗、簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)要求以及單電源操作。這些特性使得該系列產(chǎn)品非常適用于快速模擬開(kāi)關(guān)、快速取樣保持、Pixel-Rate切換、DAC Deglitchers和高速的驅(qū)動(dòng)器等應(yīng)用場(chǎng)景。

　　與SD211DE/SST211/SST213/SST215類(lèi)似的產(chǎn)品還包括四陣列- SD5000/5400系列，以及采用橫向結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)低電容和超保護(hù)的SD210DE/214DE等產(chǎn)品。

PART NUMBER	V(BR)DS Min (V)	V(os)em Max (V)	FDS(on) Max (Q)	Css Max(pF)	toN Max (ns)
SD211DE	30	1.5	45 @ Vas=10V	0.5	2
SD213DE	10	1.5	45 @ Vas=10V	0.5	2
SD215DE	20	1.5	45 @ Vas=10V	0.5	2
SST211	30	1.5	50 @ Vas=10V	0.5	2
SST213	10	1.5	50 @ Vas=10V	0.5	2
SST215	20	1.5	50 @ Vas=10V	0.5	2

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